| MOQ: | 1개 |
| 표준 포장: | 10pcs/비닐 봉지, 200pcs/카톤 |
| 배달 기간: | 2~3일 |
| 지불 방법: | T/T, 서부 동맹 |
| 공급 능력: | 1000 조각/주 |
100Gb/s QSFP28 100km 트랜시버(QSFP28-100G-eZR4)
듀플렉스 LC 커넥터, 단일 모드, DDM
설명
NUFIBER QSFP28-100G-eZR4는 100km 광통신 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 모듈에는 4레인 광 송신기, 4레인 광 수신기 및 2선 직렬 인터페이스를 포함하는 모듈 관리 블록이 포함되어 있습니다. 광 신호는 업계 표준 LC 커넥터를 통해 단일 모드 광섬유로 다중화됩니다. 블록 다이어그램은 그림에 나와 있습니다.
제품 특징
애플리케이션
트랜시버 블록 다이어그램
![]()
주문 정보
| 패키지 | 부품 번호 | 데이터 속도(Gbps) | 레이저 | 광섬유 유형 | 거리(km) | 온도(°C) | 전력 소비(W) |
| QSFP28 | QSFP28-100G-eZR4 | 103.1 | LWDM | SMF | 100 | 0~70 | 6 미만 |
| 보정 | 참고 | 참고 | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 |
| 보관 온도 | TS | -40 | +85 | 3.0 ~ 3.6 |
| 최대 공급 전압 | VCC | -0.5 | 3.6 | 30 ~ 100 |
|
작동 상대 습도 |
RH | 85 | 12 |
| 보정 | 참고 | 참고 | 송신기(모듈 입력) | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 | 접지 |
| 작동 케이스 온도 | TC | 0 | +70 | 3.0 ~ 3.6 | ||
| 전원 공급 전압 | 30 ~ 100CC | 3.13 | 3.3 | 3.47 | 30 ~ 100 | |
| 전원 공급 전류 | ICC | 1.82 | A | |||
| 최대 전력 소비 | PD | 3 | W | |||
| 총계 비트 속도 | BRAVE | 103.125 | Gb/s | |||
| 레인 비트 속도 | BRLANE | 17.5 | Gb/s | |||
| 전송 거리 | TD | 100 | km | |||
| 결합 광섬유 | 단일 모드 광섬유 | 9/125um SMF | ||||
| 보정 | 참고 | 참고 | 송신기(모듈 입력) | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 | 접지 |
| 송신기 | ||||||
| 레인당 신호 속도 | 17.5 | mV | ||||
| 레인 파장 | L0 | 1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | nm | |
| L1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | ||
| L2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm | ||
| L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | ||
| 총 송신 전력, 100GE | PT | 3 | 12.5 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | EEPROM 정보 | |
| 레인당 평균 송신 전력, | Pavg | GND | 6.5 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | EEPROM 정보 | |
| OMA, 각 레인 | POMA | 4.2 | 7.7 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | EEPROM 정보 | |
| 두 레인 간 송신 전력 차이(평균 및 OMA) 두 레인 간 (OMA) | Ptx,diff | GND | dB | |||
| 평균 출력 전력(레이저 꺼짐) | Poff | -30 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
| 측면 모드 억제 비율 | SMSR | 2 | dB | |||
| 소거비, 100GE | ER | 3 | dB | |||
| RIN20OMA | RIN | -130 | dB/Hz | |||
| 광 반환 손실 허용 오차 | TOL | 1 | dB | |||
| 송신기 반사율 | RT | -12 | dB | |||
| 광 아이 마스크 | {0.25,0.4, 0.45, 0.25, 0.28, 0.4} | 12 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | |||
| 수신기 | ||||||
| 레인당 신호 속도 | 17.5 | mV | ||||
| 레인 0 중심 파장 | λ0 | 1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | nm | |
| 레인 1 중심 파장 | λ1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | |
| 레인 2 중심 파장 | λ2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm | |
| 레인 3 중심 파장 | λ3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | |
| 손상 임계값, 각 레인 | Pdamage | 5.5 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
| 평균 수신 전력, 각 레인 | -31 | -6 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | GND | ||
| 수신기 감도 평균, 각 레인 | SEN | -30 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | GND | ||
| LOS 어설트 | LosA | -40 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
| LOS 디어설트 | LosDA | -28 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
PIN
최소.
일반.
| 보정 | 참고 | 참고 | 송신기(모듈 입력) | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 | 접지 |
| 차동 전압 피크-피크 | ||||||
| Vrms | 17.5 | mV | ||||
| 1 | 공통 모드 전압 | 0.57 | 1 | EEPROM 정보 | ||
| mV | 전이 시간 | Trise/Tfall | 10 | 1 | ||
| 참고: | 1. 1MHz에서. | 2 | 디지털 진단 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | ||
| 공통 모드 노이즈, RMS | ||||||
| Vrms | 17.5 | mV | ||||
| 차동 출력 전압 스윙 | Vout, pp | 900 | 1 | |||
| 아이 폭 | EW15 | 0.57 | 1 | |||
| 아이 높이 | EH15 | 228 | mV | |||
| 차동 종단 저항 불일치 | 10 | % | 1 | |||
| 전이 시간 | 2 | 12 | EEPROM 정보 | |||
| 참고: | 1. 1MHz에서. | 3 | 디지털 진단 | |||
EEPROM 메모리 맵 특정 데이터 필드 설명은 다음과 같습니다.
범위
단위
| 보정 | 온도 | 0 ~ +70 | °C | ±3°C |
| 내부/외부 | 전압 | 3.0 ~ 3.6 | V | 핀 설명 |
| 내부/외부 | 바이어스 전류 | 30 ~ 100 | mA | 핀 설명 |
| 내부/외부 | TX 전력 | 1 ~ 6.5 | dBm | 핀 설명 |
| 내부/외부 | RX 전력 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | 핀 다이어그램 | 핀 설명 |
| 내부/외부 | 참고: | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | 핀 다이어그램 | 핀 설명 |
PIN
논리
![]()
| 플러그 | 순서 | 참고 | 1 | GND |
접지 |
| EEPROM 정보 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 저전력 모드/Tx_비활성화 | 3 | CML-I | GND | 1 | |
| GND | 4 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 6 | CML-I | GND | 1 | |
| 3 | 7 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 9 | LVTLL-I | GND | 1 | |
| 3 | 10 | GND | 1 | ||
| 2 | 1 | 11 | LVCMOS-I/O | 저전력 모드/Tx_비활성화 | 저전력 모드/Tx_비활성화 |
| 3 | 12 | LVCMOS-I/O | GND | 1 | |
| 3 | 13 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | 1 |
| 3 | 15 | GND | 1 | ||
| 3 | 16 | CML-O | GND | 1 | |
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 18 | GND | 1 | ||
| 3 | 19 | CML-O | GND | 1 | |
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 22 | CML-O | GND | 1 | |
| 3 | 23 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 25 | CML-O | GND | 수신기 비반전 데이터 출력 | |
| 3 | 26 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 28 | LVTTL-O | GND | 1 | |
| 3 | 29 | GND | 1 | ||
| 2 | 1 | 30 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | |
| 2 | 1 | 31 | LVTTL-I | 저전력 모드/Tx_비활성화 | 저전력 모드/Tx_비활성화 |
| 3 | 32 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 34 | CML-I | GND | 1 | |
| 3 | 35 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 37 | CML-I | GND | 1 | |
| 3 | 38 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
EEPROM 메모리 맵 특정 데이터 필드 설명은 다음과 같습니다.
![]()
![]()
| MOQ: | 1개 |
| 표준 포장: | 10pcs/비닐 봉지, 200pcs/카톤 |
| 배달 기간: | 2~3일 |
| 지불 방법: | T/T, 서부 동맹 |
| 공급 능력: | 1000 조각/주 |
100Gb/s QSFP28 100km 트랜시버(QSFP28-100G-eZR4)
듀플렉스 LC 커넥터, 단일 모드, DDM
설명
NUFIBER QSFP28-100G-eZR4는 100km 광통신 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 모듈에는 4레인 광 송신기, 4레인 광 수신기 및 2선 직렬 인터페이스를 포함하는 모듈 관리 블록이 포함되어 있습니다. 광 신호는 업계 표준 LC 커넥터를 통해 단일 모드 광섬유로 다중화됩니다. 블록 다이어그램은 그림에 나와 있습니다.
제품 특징
애플리케이션
트랜시버 블록 다이어그램
![]()
주문 정보
| 패키지 | 부품 번호 | 데이터 속도(Gbps) | 레이저 | 광섬유 유형 | 거리(km) | 온도(°C) | 전력 소비(W) |
| QSFP28 | QSFP28-100G-eZR4 | 103.1 | LWDM | SMF | 100 | 0~70 | 6 미만 |
| 보정 | 참고 | 참고 | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 |
| 보관 온도 | TS | -40 | +85 | 3.0 ~ 3.6 |
| 최대 공급 전압 | VCC | -0.5 | 3.6 | 30 ~ 100 |
|
작동 상대 습도 |
RH | 85 | 12 |
| 보정 | 참고 | 참고 | 송신기(모듈 입력) | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 | 접지 |
| 작동 케이스 온도 | TC | 0 | +70 | 3.0 ~ 3.6 | ||
| 전원 공급 전압 | 30 ~ 100CC | 3.13 | 3.3 | 3.47 | 30 ~ 100 | |
| 전원 공급 전류 | ICC | 1.82 | A | |||
| 최대 전력 소비 | PD | 3 | W | |||
| 총계 비트 속도 | BRAVE | 103.125 | Gb/s | |||
| 레인 비트 속도 | BRLANE | 17.5 | Gb/s | |||
| 전송 거리 | TD | 100 | km | |||
| 결합 광섬유 | 단일 모드 광섬유 | 9/125um SMF | ||||
| 보정 | 참고 | 참고 | 송신기(모듈 입력) | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 | 접지 |
| 송신기 | ||||||
| 레인당 신호 속도 | 17.5 | mV | ||||
| 레인 파장 | L0 | 1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | nm | |
| L1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | ||
| L2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm | ||
| L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | ||
| 총 송신 전력, 100GE | PT | 3 | 12.5 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | EEPROM 정보 | |
| 레인당 평균 송신 전력, | Pavg | GND | 6.5 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | EEPROM 정보 | |
| OMA, 각 레인 | POMA | 4.2 | 7.7 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | EEPROM 정보 | |
| 두 레인 간 송신 전력 차이(평균 및 OMA) 두 레인 간 (OMA) | Ptx,diff | GND | dB | |||
| 평균 출력 전력(레이저 꺼짐) | Poff | -30 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
| 측면 모드 억제 비율 | SMSR | 2 | dB | |||
| 소거비, 100GE | ER | 3 | dB | |||
| RIN20OMA | RIN | -130 | dB/Hz | |||
| 광 반환 손실 허용 오차 | TOL | 1 | dB | |||
| 송신기 반사율 | RT | -12 | dB | |||
| 광 아이 마스크 | {0.25,0.4, 0.45, 0.25, 0.28, 0.4} | 12 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | |||
| 수신기 | ||||||
| 레인당 신호 속도 | 17.5 | mV | ||||
| 레인 0 중심 파장 | λ0 | 1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | nm | |
| 레인 1 중심 파장 | λ1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | |
| 레인 2 중심 파장 | λ2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm | |
| 레인 3 중심 파장 | λ3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | |
| 손상 임계값, 각 레인 | Pdamage | 5.5 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
| 평균 수신 전력, 각 레인 | -31 | -6 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | GND | ||
| 수신기 감도 평균, 각 레인 | SEN | -30 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | GND | ||
| LOS 어설트 | LosA | -40 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
| LOS 디어설트 | LosDA | -28 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | |||
PIN
최소.
일반.
| 보정 | 참고 | 참고 | 송신기(모듈 입력) | 레인당 데이터 속도 | 0 ~ +70 | 접지 |
| 차동 전압 피크-피크 | ||||||
| Vrms | 17.5 | mV | ||||
| 1 | 공통 모드 전압 | 0.57 | 1 | EEPROM 정보 | ||
| mV | 전이 시간 | Trise/Tfall | 10 | 1 | ||
| 참고: | 1. 1MHz에서. | 2 | 디지털 진단 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | ||
| 공통 모드 노이즈, RMS | ||||||
| Vrms | 17.5 | mV | ||||
| 차동 출력 전압 스윙 | Vout, pp | 900 | 1 | |||
| 아이 폭 | EW15 | 0.57 | 1 | |||
| 아이 높이 | EH15 | 228 | mV | |||
| 차동 종단 저항 불일치 | 10 | % | 1 | |||
| 전이 시간 | 2 | 12 | EEPROM 정보 | |||
| 참고: | 1. 1MHz에서. | 3 | 디지털 진단 | |||
EEPROM 메모리 맵 특정 데이터 필드 설명은 다음과 같습니다.
범위
단위
| 보정 | 온도 | 0 ~ +70 | °C | ±3°C |
| 내부/외부 | 전압 | 3.0 ~ 3.6 | V | 핀 설명 |
| 내부/외부 | 바이어스 전류 | 30 ~ 100 | mA | 핀 설명 |
| 내부/외부 | TX 전력 | 1 ~ 6.5 | dBm | 핀 설명 |
| 내부/외부 | RX 전력 | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | 핀 다이어그램 | 핀 설명 |
| 내부/외부 | 참고: | 트랜시버는 2선 직렬 인터페이스(SCL, SDA)를 통해 직렬 ID 메모리 내용과 현재 작동 조건에 대한 진단 정보를 제공합니다. 수신 전력 모니터링, 송신 전력 모니터링, 바이어스 전류 모니터링, 공급 전압 모니터링 및 온도 모니터링을 포함한 내부 보정 또는 외부 보정을 통한 진단 정보가 모두 구현됩니다. | 핀 다이어그램 | 핀 설명 |
PIN
논리
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| 플러그 | 순서 | 참고 | 1 | GND |
접지 |
| EEPROM 정보 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 저전력 모드/Tx_비활성화 | 3 | CML-I | GND | 1 | |
| GND | 4 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 6 | CML-I | GND | 1 | |
| 3 | 7 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 9 | LVTLL-I | GND | 1 | |
| 3 | 10 | GND | 1 | ||
| 2 | 1 | 11 | LVCMOS-I/O | 저전력 모드/Tx_비활성화 | 저전력 모드/Tx_비활성화 |
| 3 | 12 | LVCMOS-I/O | GND | 1 | |
| 3 | 13 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | 1 |
| 3 | 15 | GND | 1 | ||
| 3 | 16 | CML-O | GND | 1 | |
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 18 | GND | 1 | ||
| 3 | 19 | CML-O | GND | 1 | |
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 22 | CML-O | GND | 1 | |
| 3 | 23 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 25 | CML-O | GND | 수신기 비반전 데이터 출력 | |
| 3 | 26 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 28 | LVTTL-O | GND | 1 | |
| 3 | 29 | GND | 1 | ||
| 2 | 1 | 30 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | 저전력 모드/Tx_비활성화 | |
| 2 | 1 | 31 | LVTTL-I | 저전력 모드/Tx_비활성화 | 저전력 모드/Tx_비활성화 |
| 3 | 32 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 34 | CML-I | GND | 1 | |
| 3 | 35 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
| 3 | 37 | CML-I | GND | 1 | |
| 3 | 38 | GND | 1 | ||
| 1 | 1 | 참고: | GND는 QSFP28 모듈의 신호 및 공급(전원) 공통 기호입니다. 모두 QSFP28 모듈 내에서 공통이며, 달리 명시되지 않는 한 모든 모듈 전압은 이 전위를 기준으로 합니다. 호스트 보드 신호 공통 접지면에 직접 연결하십시오. | EEPROM 정보 | EEPROM 정보 |
EEPROM 메모리 맵 특정 데이터 필드 설명은 다음과 같습니다.
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